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- W43555695 abstract "Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur a large bande d’energie interdite, remarquable par ses proprietes physiques situees a mi-chemin entre le silicium et le diamant. Ceci suscite actuellement un fort interet industriel pour son utilisation dans la fabrication de composants susceptibles de fonctionner dans des conditions extremes : forte puissance et haute temperature. Les travaux de these se sont focalises sur la levee de verrous technologiques pour realiser des composants lateraux de type JFET (Junction Field Effect Transistor) et les integrer monolithiquement dans des substrats SiC-4H. L’objectif est de realiser un bras d’onduleur integre en SiC avec deux etages commande et puissance. Dans un premier temps, nous avons entame cette these par une caracterisation de deux lots de composants JFET lateraux a canaux N et P realises dans le cadre de deux projets ANR precedents cette these. De cette etude nous avons extrait plusieurs points positifs, comme celui qui concerne la tenue en tension des JFET de puissance et l’integration monolithique des JFET basse tension. Mais, nous avons aussi mis en evidence, la necessite d’optimiser la structure de composants et d’ameliorer certaines etapes technologiques, principalement, la definition des canaux par implantation ionique, le contact ohmique et la gravure profonde. Des etudes approfondies pour realiser le contact ohmique sur SiC type P et des procedes pour realiser une gravure profonde dans le SiC ont ete developpes. Ces etudes ont permis d’obtenir une faible resistance de contact comparable a l’etat de l’art mondial, d’avoir des calibres en courant plus eleves et par consequent une meilleure modulation. Pour la gravure, un masque dur a base de silicium et nickel (NiSi), nous a permis de mettre en place un procede original qui permet des gravures profondes du SiC et realiser les structures integres des JFET. L’ensemble de ces ameliorations technologiques nous a permis d’obtenir des nouveaux lots de composants JFET P et N integres sur la meme puce, avec des meilleures performances par rapport aux precedentes realisations, notamment avec une conduction dans les canaux 10 a 100 fois plus importante. Nous avons egalement obtenu une modulation du courant Ids en fonction de la tension Vgs sur un nombre tres important de JFET en augmentant significativement le rendement par rapport aux lots precedents." @default.
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