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• W52668419 abstract "Triode sputtering has separated the conventional diode sputtering plasma formation and sputtering functions to permit greater control of film thickness than that achieved with diode sputtering. The deposition rate is constant as a function of time and yield curves for various materials can be used to determine the required sputtering rate. The application of r.f. gives the possibility for sputtering of non-conductive materials such as glass or silicon monoxyde, etc. The low power input permits attainment of a given deposition rate with minimum heating of target and substrate. This permits metal and alloy films to be sputtered onto plastics with excellent adherence to some plastics without an undercoat. The higher energy of sputtered atoms (about 40 times that of evaporated atoms) results in excellent adherence. Beryllium copper films sputtered directly onto a glass substrate, without a base film of chromium, show good adherence and can be soldered successfully. Zerstäubung in der Triode hat die Bildung des Plasmas und seine Funktionen für die Zerstäubung voneinander getrennt, im Gegensatz zur Zerstäubung in der normalen Diode, so dass nunmehr eine grössere Kontrolle der Schichtdicke möglich wird, als bei der Zerstäubung in der Diode erreicht werden kann. Die Niederschlagsrate als Funktion der Zeit ist konstant, und die Ausbeutecharakteristiken für verschiedene Stoffe können dazu verwendet werden, die Zerstäubungsrate zu bestimmen. Die Anwendung von Hochfrequenz ermöglicht die Zerstäubung nichtleitender Stoffe, wie z. B. von Glas, Silicium-Monoxyd usw. Der geringe Energiebedarf ermöglicht eine bestimmte Niederschlagsrate mit geringer Erhitzung des Targets und des Substrats zu erzielen. Auf diese Weise können Metalle und Legierungen als Schichten auf plastische Unterlagen gestäubt werden, wobei bei bestimmten plastischen Materialien eine hervorragende Haftung erzielt wird, ohne dass eine Zwischenschicht erforderlich ist. Die höhere Energie der zerstäubten Atome (ungefähr 40 mal so hoch wie die der verdampften Atome) führt zu einer hervorragenden Haftung. Beryllium-Kupfer-Schichten können direkt auf die Glasunterlage aufgestäubt werden, ohne dass ein Zwischenfilm von Chrom erforderlich ist; diese Schichten zeigen gute Haftfestigkeit und sind zum Anlöten hervorragend geeignet. L'emploi des triodes de pulvérisation permet de séparer la formation du plasma de la projection des particules, fonctions réunies dans la diode de pulvérisation classique, ce qui permet de contrôler l'épaisseur de la couche avec plus de précision que dans le cas de pulvérisation par diode. La vitesse du dépôt est constante en fonction du temps et on peut utiliser les courbes de rendement des différents métaux pour déterminer les vitesses de pulvérisation nécessaires. L'emploi de hautes fréquences permet de pulvériser des matériaux non-conducteurs tels que le verre ou le monoxyde de silicium, etc. La puissance d'alimentation nécessaire n'étant pas élevée, on peut atteindre une vitesse de dépot donnée tout en conservant minimale l'élévation de température de la cible et du substrat. Il est possible de pulvériser des couches de métal ou d'alliage sur on substrat de matière plastique avec une adhérence excellente; pour certaines matières plastiques il est même inutile de déposer une couche sousjacente. Les atomes pulvérisés ayant une énergie beaucoup plus grande (près de 40 fois l'énergie des atomes évaporés) il en résulte une adhérence excellente. Les couches de bronze au glucinium pulvérisées directement sur du verre sans couche de base en chrome, offrent une bonne adhérence et se prêtent bien à la soudure." @default.
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