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- W575520062 abstract "Au cours des dernieres annees, la demande de plus en plus forte pour des memoires non-volatiles performantes, a mene au developpement des technologies NOR Flash et NAND Flash, qui dominent aujourd'hui le marche des memoires non-volatiles. Cependant, la miniaturisation de ces technologies, qui permettait d'en reduire le cout, laisse aujourd'hui entrevoir ses limites. En consequence, des memoires alternatives et emergentes sont developpees, et parmi celles-ci, la technologie des memoires a changement de phase, ou PCRAM, est l'une des candidates les plus prometteuses tant pour remplacer les memoires Flash, notamment de type NOR, que pour acceder a de nouveaux marches tels que le marche des SCM. Toutefois, afin d'etre pleinement competitives avec les autres technologies memoires, certaines performances de la technologie PCRAM doivent encore etre ameliorees. Au cours de cette these, nous cherchons donc a obtenir des dispositifs PCRAM plus performants. Parmi les resultats presentes, nous reduisons les courants de programmation et la consommation electrique des dispositifs tout en augmentant la retention de l'information a haute temperature. Pour cela, nous modifions la structure du dispositif ou nous utilisons un materiau a changement de phase alternatif. De plus, a l'aide de solutions innovantes, nous permettons aux dispositifs PCRAM de conserver l'information pendant une eventuelle etape de soudure de la puce memoire. Enfin, nous avons concu, developpe et valide un procede de fabrication permettant d'integrer une diode PN de selection en Silicium en serie avec un element resistif PCRAM, demontrant l'interet de ce selecteur vertical pour etre utilisees comme element de selection d'une cellule PCRAM integree au sein d'une architecture crossbar." @default.
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