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- W577300327 abstract "L'integration de dielectriques High-k dans les empilements de grille des transistors a fait naitre des problemes de fiabilite complexes. A cela vient s'ajouter, en vue des technologies sub-32nm planaires, de nouvelles problematiques liees a l'utilisation de substrats silicium sur isolant completement desertes FDSOI. En effet, l'integration d'un oxyde enterre sous le film de silicium non seulement va modifier l'electrostatique de la structure mais aussi introduire une nouvelle interface Si/SiO2 sujette a d'eventuelles degradations. Ce manuscrit presente differentes methodes de caracterisation electrique ainsi que differentes etudes de fiabilite des dispositifs FDSOI integrants des empilements High-κ/ grille metallique. Dans un premier temps, une etude complete du couplage electrostatique dans des structures FDSOI est realisee, permettant de mieux apprehender l'effet d'une tension en face arriere sur les caracteristiques electriques des dispositifs. Differentes methodes de caracterisation des pieges d'interface sont ensuite presentees et adaptees, quand cela est possible, au cas specifique du FDSOI, ou les defauts entre le film de silicium et l'oxyde enterre doivent etre pris en compte. Enfin, differentes etudes de fiabilite sont presentees, des phenomenes de PBTI et de NBTI sur des dispositifs a canaux longs aux phenomenes propres aux dispositifs de petite dimension, tels que l'impact des porteurs chauds dans des structures FDSOI a film ultra fins et les effets parasites d'augmentation de la tension de seuil lorsque les largeurs des transistors diminuent." @default.
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