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- W579112963 abstract "Pour les applications electroniques analogiques, des composants fonctionnant en hautes frequences avec un faible niveau de bruit sont necessaires. Pour le developpement de circuits numeriques hauts debits de type DCFL, il faut utiliser des transistors a effet de champ a tensions de seuil positives. De plus, la tenue en tension est aussi une contrainte. La structure HEMT metamorphique a enrichissement AlInAs/GaInAs sur GaAs developpee par la societe OMMIC en 2007 repond a ces exigences et constitue le point de depart de cette etude. Le but de cette these est en effet de fournir une structure de HEMTs a enrichissement (E-HEMTs) de la filiere AlInAs/InGaAs pour applications faible bruit sur substrat InP, afin de tirer profit de sa forte mobilite electronique, tout en maintenant de bonnes caracteristiques statiques et dynamiques. Notre travail d’optimisation, de realisation et de caracterisation de structures permet d’atteindre des frequences de coupure FT, FMAX de respectivement 204 GHz et 327 GHz, pour un NFmin de 0.96 dB et un gain associe de 13.2 dB a 30 GHz, pour des structures presentant d’excellentes performances statiques : tension de seuil positive de 30 mV, tension de claquage grille - drain de –7 V, transconductance de 1040 mS/mm. Ces resultats placent ce HEMT sur InP a l’etat de l’art des transistors HEMTs a enrichissement, et en font un concurrent des transistors HEMTs a depletion pour les applications faible bruit." @default.
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