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- W601680779 abstract "Les applications emergentes dans la gamme des frequences Terahertz (THz, 10¹² Hz) stimulent le developpement des composants actifs et passifs rapides ainsi que des emetteurs et des detecteurs de radiation travaillant dans ce domaine. Les dispositifs actuels ne repondent pas a tous les besoins de l'industrie a cause de la consommation, la taille et le cout tres importants. La solution pour la realisation des emetteurs et des detecteurs peut venir des transistors a ondes plasma que nous avons etudies. Ce sont les composant a base de HEMT Ill-V exploitants les nouvelles proprietes de transport electronique. Les mesures de ces dispositifs ont montre les possibilites de l'emission et de la detection de la radiation autour de 1 THz, a temperature basse et ambiante. Une detection resonante avec une frequence ajustable est possible. D'un autre cote il est necessaire de realiser les composants actifs electroniques (transistors) capables de fonctionner aux frequences proches du THz. Ceci est necessaire pour la realisation des circuits rapides comme les amplificateurs, les melangeurs et autres. Pour repondre a cette demande, nous avons etudie deux types de transistors double-grilles. Les mesures ont prouve l'amelioration des performances statiques et dynamiques (saturation de courant de drain et courant de drain maximal, efficacite de commande, transconductance et conductance de sortie, frequences de fonctionnement). De plus, la consommation aux performances equivalentes est plus faible. Les simulations montrent que les performances peuvent etre ameliorees d'avantage." @default.
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