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- W612219126 abstract "Le developpement des techniques de microscopies a sonde locale a cree de nouvelles perspectives dans le domaine de la caracterisation et plus recemment de la modification des surfaces grâce a une resolution laterale pouvant atteindre l'echelle atomique. L'application de ces techniques en milieu d'electrochimie parait particulierement prometteuse en vu des tres nombreuses possibilites dans le domaine du traitement des surfaces. Le sujet de ce travail est le developpement d'une nano-electrochimie photo-induite par optique en champ proche, une premiere dans ce domaine. Ce developpement necessite l'etude d'un certain nombre de points : l'asservissement de la distance sonde-echantillon en milieu liquide, l'adaptation d'une cellule electrochimique miniature et les parametres qui determinent la resolution spatiale comme par exemple les conditions electrochimiques optimales. L'appareillage developpe est un outil puissant de caracterisation des proprietes electroniques des surfaces semiconductrices. Des cartographies de photocourant obtenues sur divers echantillons test revelent une resolution laterale de 100 nm. Suivant les conditions electrochimiques, la technique permet egalement d'induire des transformations de surface par des reactions de gravure ou de depot electrochimiques. Des motifs d'une taille laterale de 200-300 nm ont ete graves dans du silicium et dans du silicium poreux. Des ilots de nickel de dimensions largement submicroniques avec des bords bien definis ont egalement ete deposes sur un substrat de silicium dans des conditions electrochimiques controlees. L'origine de cette resolution spatiale elevee a ete etudiee a l'aide d'un modele physique qui decrit la dynamique des porteurs photogeneres dans le semiconducteur." @default.
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