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• W615046642 abstract "Les travaux reportes dans cette these concernent la conception et la realisation technologique d'une diode laser a puits quantiques InGaAsN emettant a 1,3μm, epitaxiee sur substrat de GaAs, et comportant une structure a ruban a base d'un diaphragme d'oxyde d'aluminium (Alox). Nous presentons, tout d'abord, l'etude de modelisation et de conception de ces diodes laser. En nous appuyant sur un outil incluant la modelisation de la structure de bande des puits quantiques InGaAsN/GaAs, une etude complete d'optimisation des proprietes d'emission des puits quantiques est menee. Nous en degageons les criteres de conception de la structure bidimensionnelle pour obtenir une emission laser a 1,3μm presentant de bonnes performances en terme de stabilite thermique et de reponse dynamique, compatible avec les reseaux optiques d'acces. La seconde partie porte sur la realisation technologique des composants. Nous presentons la mise au point de l'etape d'oxydation laterale humide et au developpement d'un procede technologique complet et reproductible de realisation de diodes laser avec injection laterale des porteurs et diaphragme d'oxyde en tenant compte des contraintes technologiques des differentes etapes du procede. La realisation et la caracterisation de diodes laser a diaphragme d'oxyde ont constitue la derniere phase de ce travail. Apres avoir valide le procede technologique dans la filiere AlGaAs/GaAs, nous avons procede a une caracterisation approfondie des composants a multi puits quantiques InGaAsN/GaAs afin d'evaluer les potentialites de cette nouvelle filiere et de confirmer l'interet du confinement procure par le diaphragme Alox pour l'obtention de composants monomodes stables." @default.
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