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- W657843478 abstract "Durant ces dernieres annees, les systemes de telecommunications sans fil grand public ont integre des circuits en technologie silicium (BiCMOS, CMOS), grâce a la montee en frequence des composants actifs de ces technologies (MOSFETS, Bipolaires a Heterojonctions) qui remplacent peu a peu les circuits des filieres III-V. Recemment, les techniques Ultra Large Bande utilisees dans les radars militaires haute puissance ont ete etendues a des applications grand public et ont ete normalisees aux Etats-Unis pour des bandes de frequences comprises entre 3 et 10GHz. Dans cette bande de frequence les architectures d'emetteur et de recepteur sont complexes. La transposition des signaux en gamme millimetrique, plus exactement dans la bande [59-62] GHz, presente de nombreux avantages notamment en terme de simplicite d'architecture systeme et d'encombrement. Les transistors de la technologie silicium BiCMOS SiGe 0,13 µm atteignent des frequences de coupure et des frequences maximales d'oscillation de l'ordre de 160 GHz. Nous avons ainsi concu puis caracterise les differents elements millimetriques de la chaine d'emission et de reception tels que oscillateur, commutateur, generateur d'impulsions, amplificateur moyenne puissance et faible bruit, detecteur. Les performances obtenues sur ces fonctions etant en accord avec les specifications systeme que nous nous etions fixees, un circuit emetteur et un circuit recepteur entierement integres en technologies silicium BiCMOS ont ete concus et realises. Ces travaux ont permis de demontrer la possibilite d'utiliser ces technologies silicium pour la realisation de nouveaux systemes de communication dans le domaine des frequences millimetriques." @default.
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