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- W68959501 abstract "La reduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits integres, ne permet plus d'ameliorer efficacement leurs performances. Des leviers technologiques ont ete mis en place dans les procedes de fabrication de ces transistors pour y remedier. L'introduction intentionnelle de contraintes constitue l'une de ces solutions. De fait, l'orientation des contraintes en fonction de la direction du canal influence fortement les proprietes de transport des transistors MOSFETs. Les methodes de calculs de structures de bandes semi-empiriques EPM et */k.p/* dans l'approximation de la fonction enveloppe, ont ete developpees afin d'etudier les perturbations occasionnees sur la structure electronique des materiaux par l'action conjuguee des contraintes mecaniques et du confinement. L'influence de ces dernieres perturbations sur les proprietes de transport a, par la suite, ete analysee a l'aide de simulations avancees Monte Carlo fullband et Kubo-Greenwood. Les resultats theoriques obtenus ont ete confrontes aux donnees experimentales de flexion a quatre pointes (Wafer Bending), mesurees au cours de cette these. Il apparait clairement que la prise en compte du couplage complexe des effets de confinement et de contrainte joue un role essentiel dans les proprietes de transport des dispositifs MOSFETs actuels. Enfin, chaque etape de modelisation a donne lieu a une discussion des domaines de validite des outils de simulation Derive-Diffusion et Hydrodynamique, classiquement utilises dans l'industrie pour la modelisation des dispositifs MOSFETs." @default.
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