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- W73278702 abstract "L'implantation ionique est la seule technique de dopage local maitrisable avec le carbure de silicium, la diffusion thermique necessitant des temperatures trop elevees pour une industrialisation du procede. Les principaux atomes dopants utilises sont l'aluminium et le bore pour le type p, et l'azote pour le type n. Un probleme important lie a cette technique reside dans l'activation electrique de l'espece implantee. La creation de l'emetteur de la diode bipolaire p+ nn+ etudiee exige cinq implantations successives d'aluminium, dont les energies sont echelonnees entre 25 et 300 keV, afin d'obtenir un profil rectangulaire a concentration constante sur une distance precise ( 4. 1019 cm•3 sur 0,5 μn). Ce dopage volumique est un dopage vise, c'est-a-dire qu'il est donne dans le cas ou l'ionisation est complete. Or, les doses et energies d'implantation utilisees conduisent a l'endommagement du cristal, et meme a son amorphisation sur une certaine profondeur. Il est donc necessaire de pratiquer un recuit du materiau apres l'implantation, d'une part pour recristalliser les zones endommagees, et d'autre part pour que les ions implantes diffusent localement sur des sites substitutionnels afin d'etre electriquement actifs. Une etude complete visant a l'optimisation de la jonction electrique a ete menee. Les parametres specifiquement lies a l'implantation ionique, tels que la valeur des angles d'implantations, la temperature et l'ordre energetique, ont permis de controler la forme du profil de la jonction ainsi que l'endommagement du materiau. L'influence du recuit sur la stoechiometrie de surface, la cristallinite et l'activation electrique a egalement ete degagee, afin de choisir la meilleure configuration du four a induction, conduisant a un taux de mise en substitution des dopants proche de l'unite. Enfin, l'ensemble du procede a ete valide par la conception et la caracterisation de diodes bipolaires et Schottky." @default.
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