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- W788961334 endingPage "173" @default.
- W788961334 startingPage "168" @default.
- W788961334 abstract "본 연구에서는 인체모델(humman body model; HBM)을 터널링 자기저항(tunneling magneto resistance; TMR)소자에 연결하여 정전기에 대한 방전특성을 연구하였다. 이를 위해 제조된 TMR 시편을 전기적 등가회로 바꿔 HBM에 연결하여 PSPICE를 이용해 시뮬레이션 하였다. 이러한 등가회로에서 접합부분의 모델링 요소들의 값을 변화시켜 방전특성을 관찰할 수 있었다. 그 결과 시편의 저항과 정전용량 성분의 값이 다른 요소들에 비해 수배에서 수백 배까지 커서 정전기 방전(electrostatic discharge; ESD) 민감도를 좌우하는 주요한 요소임을 알 수 있었다. 여기에서 ESD현상에 대한 내구성을 향상시키기 위해서는 정전용량을 증가시키는 것 보다 접합면과 도선의 저항값을 줄이는 것이 유리하다. 그리고 직류 전압에 대해 절연층의 전위 장벽이 낮아져 많은 전류가 흐르게 되는 항복(breakdown)전압과 셀의 물리적 구조 및 성질이 변형되어 회복되지 못하는 파괴(failure)전압을 측정하여 DC 상태에서의 내구성을 연구하였다. 이 결과를 HBM 전압에 대한 파괴 전압으로 간주하여 TMR 소자가 견딜 수 있는 HBM 전압을 예측할 수 있었다. Electrostatic discharge characteristics were studied by connecting human body model (HBM) with tunneling magnetoresistance (TMR) device in this research. TMR samples were converted into electrical equivalent circuit with HBM and it was simulated utilizing PSPICE. Discharge characteristics were observed by changing the component values of the junction model in this equivalent circuit. The results show that resistance and capacitance of the TMR junction were determinative components that dominate the sensitivity of the electrostatic discharge(ESD). Reducing the resistance oi the junction area and lead line is more profitable to increase the recording density rather than increasing the capacitance to improve the endurance for ESD events. Endurance at DC state was performed by checking breakdown and failure voltages for applied DC voltage. HBM voltage that a TMR device could endure was estimated when the DC failure voltage was regarded as the HBM failure voltage." @default.
- W788961334 created "2016-06-24" @default.
- W788961334 creator A5002523045 @default.
- W788961334 creator A5007517665 @default.
- W788961334 creator A5040862754 @default.
- W788961334 date "2002-10-01" @default.
- W788961334 modified "2023-09-27" @default.
- W788961334 title "Electrostatic discharge simulation of tunneling magnetoresistance devices" @default.
- W788961334 cites W2052299573 @default.
- W788961334 cites W2101525878 @default.
- W788961334 cites W2150385090 @default.
- W788961334 doi "https://doi.org/10.4283/jkms.2002.12.5.168" @default.
- W788961334 hasPublicationYear "2002" @default.
- W788961334 type Work @default.
- W788961334 sameAs 788961334 @default.
- W788961334 citedByCount "1" @default.
- W788961334 countsByYear W7889613342015 @default.
- W788961334 crossrefType "journal-article" @default.
- W788961334 hasAuthorship W788961334A5002523045 @default.
- W788961334 hasAuthorship W788961334A5007517665 @default.
- W788961334 hasAuthorship W788961334A5040862754 @default.
- W788961334 hasBestOaLocation W7889613341 @default.
- W788961334 hasConcept C119321828 @default.
- W788961334 hasConcept C119599485 @default.
- W788961334 hasConcept C120398109 @default.
- W788961334 hasConcept C121332964 @default.
- W788961334 hasConcept C127413603 @default.
- W788961334 hasConcept C165801399 @default.
- W788961334 hasConcept C17525397 @default.
- W788961334 hasConcept C192562407 @default.
- W788961334 hasConcept C205483674 @default.
- W788961334 hasConcept C23572009 @default.
- W788961334 hasConcept C2781089380 @default.
- W788961334 hasConcept C30066665 @default.
- W788961334 hasConcept C49040817 @default.
- W788961334 hasConcept C62520636 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C119321828 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C119599485 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C120398109 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C121332964 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C127413603 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C165801399 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C17525397 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C192562407 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C205483674 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C23572009 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C2781089380 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C30066665 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C49040817 @default.
- W788961334 hasConceptScore W788961334C62520636 @default.
- W788961334 hasIssue "5" @default.
- W788961334 hasLocation W7889613341 @default.
- W788961334 hasOpenAccess W788961334 @default.
- W788961334 hasPrimaryLocation W7889613341 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W1515970256 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W1998368861 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2043845193 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2067754760 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2074220251 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2102864890 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2107217554 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2138611764 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2147297470 @default.
- W788961334 hasRelatedWork W2370347148 @default.
- W788961334 hasVolume "12" @default.
- W788961334 isParatext "false" @default.
- W788961334 isRetracted "false" @default.
- W788961334 magId "788961334" @default.
- W788961334 workType "article" @default.