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- W789057496 abstract "Les nouveaux materiaux developpes pour l’industrie electronique voient leur complexite constamment augmenter. La quantite de materiaux candidats a discriminer lors du processus de developpement augmente de facon correspondante et devient difficilement traitable a travers une approche purement experimentale. Dans un tel contexte, les simulations numeriques peuvent preselectionner les materiaux les plus prometteurs et ainsi diminuer l’effort experimental requis, dans une mesure determinee par leur precision. La theorie de la fonctionnelle de la densite (Density Functional Theory, DFT) est la methode de simulation de structure electronique basee sur des principes premiers la plus couramment utilisee aujourd’hui. Toutefois, la precision des niveaux energetiques calcules est habituellement limitee a ±0.5eV par le traitement rudimentaire de l’ecrantage (blindage) en DFT. La G0W0 est une methode de simulation alternative qui traite l’ecrantage de facon plus precise en utilisant l’approximation des phases aleatoires (Random Phase Approximation, RPA). Grâce a ceci, elle peut predire les niveaux electroniques d’un materiel avec une precision d’environ ±0.05eV. La taille des calculs associes devient toutefois prohibitive pour des systemes composes de plus de quelques dizaines d’electrons par cellule primitive (ou molecule), ce qui limite grandement son application a la conception de nouveaux materiaux. Cette limitation des implementations G0W0 traditionnelles est associee a deux goulots d’etranglement. Premierement, les calculs requierent l’inversion d’une matrice de grande taille (la matrice dielectrique du systeme). Deuxiemement, les calculs requierent l’execution de sommes sur un grand nombre d’etats (les etats de conduction du systeme). J’exposerai dans cette presentation nos developpements methodologiques permettant de diminuer la taille de la matrice dielectrique et de convertir les sommes sur les etats de conduction en equations lineaires. Finalement, des calculs preliminaires effectues sur du silane, du benzene et du thiophene seront presentes." @default.
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