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- W85408067 abstract "La problematique de cette these est l'amelioration de la fiabilite des systemes electroniques encapsules, concernant l'hermeticite et les perturbations causees par les infiltrations d'humidite. Le travail consiste en l'etude d'un capteur pour mesurer in situ le taux d'humidite dans les cavites des systemes encapsules. Comparativement aux actuelles techniques d'evaluation de l'hermeticite, l'interet du dispositif reside dans la generalisation du test a chaque cavite, le controle de l'atmosphere de la cavite sur une longue periode d'utilisation, et la correction automatique de la derive occasionnee (packaging intelligent). Deux structures en Si poreux (SP) ont ete etudiees pour realiser des capteurs, et ont d'abord ete caracterisees d'un point de vue morphologique. Les deux couches ont la meme porosite de 45 %. Les mesures de sorption d'azote appliquees aux theories BET et BJH ont montre que SP1 et SP2 presentaient respectivement des surfaces specifiques de 330 et 223 m²/g, et des diametres poreux moyens de 4,3 et 5.5 nm. Une nouvelle methode de caracterisation basee sur le traitement d'image de surface de Si poreux est presentee. La methode permet d'estimer les distributions de taille de pore, porosite, surface specifique et fraction volumique d'oxyde. Elle est validee par la coherence des resultats obtenus, compares a ceux donnes par les theories de sorption. Outre le caractere complet de l'analyse, les avantages de cette methode sont sa simplicite de mise en œuvre, sa non restriction a une gamme de taille de pores, et l'absence d'hypothese mathematique sur l'estimation de la DTP. Les tests electriques ont montre que SP1 presentait une resistance superieure a SP2 et que le capteur base sur SP1 presentait une plus grande sensibilite vis-a-vis de la prise d'humidite : -90 % entre 0 et 80 % d'humidite relative. La specificite du transport electrique dans les structures etudiees a ete mise en evidence experimentalement, conduisant a l'hypothese d'une barriere de potentiels a l'interface Si - Si poreux. La plus grande resistance presentee par SP1 a ete explicitee par sa plus grande fraction volumique d'oxyde, ainsi que les effets plus prononces de confinement quantique et de depletion de surface. L'utilite d'un capteur d'humidite in situ en Si poreux pour l'hermeticite des systems in package a ete demontree par les resultats experimentaux d'un prototype." @default.
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