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- W907803100 abstract "Dans le cadre de la simulation atomistique nous avons etudie les structures atomique et electronique ainsi que la stabilite relative de differentes configurations du cœur des dislocations (prismatiques et basales) dans le GaN wurtzite. Pour ce faire, nous avons utilise trois classes de methodes : ab-initio DFT (AIMPRO), liaisons fortes (SCC-DFTB) et un potentiel empirique (Stillinger-Weber modifie). Dans le cas des dislocations prismatiques, nous avons fourni les premiers modeles atomistiques du cœur de la dislocation mixte , dont la configuration avec un double cycle a 5/6 atomes correspond a la structure du cœur observee par imagerie Z-contraste. Par ailleurs, nous proposons une nouvelle configuration du cœur de la dislocation vis (double cycle a 6 atomes) qui est plus energetiquement favorable que la configuration (cycle a 6 atomes) connue jusqu’a present. Pour cette meme dislocation, nous avons mis en evidence la presence de canaux de conduction qui peuvent etre a l’origine des courants de fuite observes dans les dispositifs electroniques a base de GaN. Pour les dislocations basales, nous avons montre dans le cas de la dislocation vis que la configuration de type shuffle est la plus energetiquement favorable alors qu’une reconstruction totale des liaisons pendantes ne conduit pas necessairement a un abaissement de l’energie des configurations de type glide. Dans le cas de la dislocation mixte a 60°, la configuration du cœur de type glide avec une polarite azote s’est revelee la plus energetiquement favorable. Dans le cas de la dislocation coin , la configuration shuffle, contenant des mauvaises liaisons, avec un cycle a 5/8/5 atomes est la plus energetiquement favorable. Cette configuration est predite pour etre le resultat de la courbure a 90° d’une dislocation vis avec un cœur a double cycle a 6 atomes, lors de la croissance ELO. Nous avons montre que les cœurs de la dislocation coin sont caracterises par la presence d’un fort champ de contrainte ce qui peut favoriser la contamination des couches de GaN par les atomes Si et O constituant le masque." @default.
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