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- W94843493 abstract "Ce travail presente la caracterisation des proprietes d'absorption de lumiere par des nanofils uniques (NF) de silicium en utilisant la spectroscopie de photocourant, ainsi qu'une etude preliminaire des processus d'incorporation des dopants et de realisation de jonction dans les NFs. Tout d'abord, nous commencons par decrire les methodes de croissance utilisees pour synthetiser des NFs actifs pour la generation de photocourant, avec l'utilisation du chlorure d'hydrogene dans les procedes classiques de croissance CVD catalysee or de fils dopes. Cette methode offre des structures tres faiblement coniques, elargit les temperatures de procede, permettant en particulier d'incorporer tres efficacement le bore, avec des densites d'accepteurs ionises allant jusqu'a 1.8E19 cm-3, tout en inhibant la diffusion d'or depuis le catalyseur. L'attention est ensuite portee a la fabrication de jonctions, l'etude de ses caracteristiques electriques, ainsi que sur l'influence de parametres morphologiques (rayon, position axiale) du fil sur sa resistivite apparente. Dans une seconde partie, nous etudions la reponse en photocourant d'un jeu de NFs actifs de differents diametres et correlons nos resultats a un traitement analytique de l'absorption des photons a l'echelle du nanoobjet dans le cadre de la theorie de Mie adaptee au cas cylindrique. L'accord experience-theorie est tres bon pour les deux polarisations (TE-TM). Des resonances dans le spectre d'absorption sont mises en evidence, correspondant a l'excitation de modes propres du fil, et associees a des sections efficaces d'absorption pouvant etre superieures a l'unite. Dans une derniere partie, nous adaptons la strategie de depot antireflet utilisee dans les cellules solaires pour ameliorer le couplage de la lumiere incidente aux NFs. Pour cela, des depots de SiO2 et Si3N4 sont realises sur des NFs via la technique de PECVD, nous fournissant par la-meme un jeu de structures pourvues d'un depot de dielectrique a haute conformite. Se basant sur les spectres d'absorption ainsi acquis, nous obtenons les gains relatifs d'absorption induits par le depot de dielectrique et les comparons aux calculs analytiques developpes specifiquement pour obtenir l'absorption dans le cœur seulement du cylindre coaxial, ceci nous permettant egalement d'estimer la partie du rayonnement incident absorbe dans la coquille dielectrique." @default.
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