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- W97473622 abstract "Diese Arbeit behandelt die Herstellung hochbeweglicher zweidimensionaler Lochsysteme (2DHG) in GaAs/AlGaAs Heterostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) und deren Charakterisierung durch Magnetotransportuntersuchungen bei tiefen Temperaturen zwischen 4 K und 30 mK. Im Mittelpunkt liegt hierbei die Optimierung von Ladungstragerbeweglichkeiten. Dies wird erreicht durch die Einfuhrung einer neuartigen Kohlenstoff-Filament Dotierquelle, deren Einsatz Verunreinigungen im MBE-Systems und damit in den gewachsenen Schichten reduziert und durch Variationen des Bandstruktur-Designs mit dem Ziel Streuprozesse weitgehend zu minimiert. Mit Hilfe dieser Masnahmen konnen Lochbeweglichkeiten uber 1 E6 cm^2/Vs erzielt werden, was eine Steigerung gegenuber herkommlicher 2DHGs um den Faktor 3 in der (001)- und den Faktor 6.5 in der (110)- orientierten Transportebene darstellt. Weiterhin treten in derartigen 2DHGs Zustande des fraktionalen Quantum Hall Effekts zu Tage, welche bisher nur in n-dotierten 2D-Systemen beobachtbar waren. Magnetotransportuntersuchungen an 2DHGs mit Aluminium Gate zeigen ein hysteretisches Verhalten der Ladungstragerdichte gegenuber der Gatespannung, welches auf das Einbauverhalten von Kohlenstoff als Akzeptor zuruckgefuhrt werden kann und zur Charakterisierung von Strukturen verwendet wird. Temperaturabhangige Magnetotransportuntersuchungen erlauben die Bestimmung von effektiver Masse und Quantensteuzeit sowie deren Abhangigkeit vom Bandstruktur-Design. Weiterhin wird bei diesen Experimenten ein aperiodisches Verhalten von Shubnikov-de Haas Oszillationen im inversen Magnetfeld beobachtet, welches auf die Lage der Fermienergie in der unmittelbaren Umgebung von Kreuzungspunkten im komplexen Landaufacher von 2DHGs zuruckgefuhrt werden kann." @default.
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